半導体デバイスの元素と構造の特性評価

電子顕微鏡と集束イオンビーム (FIB) は、ナノスケールまたは原子スケールの半導体プロセスを完全に理解するために不可欠なツールです。エネルギー分散分析法 (EDS) や電子線後方散乱回折法 (EBSD) など、プロセスを理解するために必要なデバイスの組成と構造に関するデータを、迅速かつ正確に収集することができる電子顕微鏡と集束イオンビーム (FIB) の分析技術の最近の開発について、詳しくは知ることができます。課題の一つは、ナノメートルスケールの分析のほとんどは低 kV 電子を使用して画像化することができますが、この分解能と条件下での元素分析は一般的に不可能であるということです。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

超高解像度画像を実現するために必要な条件で、高いX線収集効率を実現したUltim Extremeをご覧ください。
EBSDとSymmetryが、デバイスの性能を理解するために空間的に分解された構造情報を提供する方法をご覧ください。

半導体デバイスの元素と構造の特性評価

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