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C-Nano+

CMOS搭載高感度EBSD検出器

C-Nano+は優れたエントリーレベルのEBSD検出器です。 Symmetry S3 検出器でも搭載されている革新的な技術がC-Nano+にも内蔵されており、エントリーレベルにおいてもクラス最高の性能を提供します。C-Nano+はどんな種類の試料にも適応し、その高いピクセル解像度は詳細なひずみの解析だけでなく、複雑でチャレンジングな材料解析のルーチンワークにも最適です。

  • パターン解像度 1244 x 1024 ピクセル (フル) - 高解像 ESBD に最適

  • クラス最高のパターン取得速さ > 600 pps

  • 光ファイバーによる優れた感度で低エネルギーおよび低電流の下での解析に対応

  • ひずみのない画像


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C-Nano+は全ての材料やアプリケーションに対応するように設計されたEBSD検出器です。カスタマイズされたCMOSセンサーを搭載し、312 x 256の優れたピクセル解像度のパターンで最高600 ppsの収集スピードを達成します: これは同等のCCDベース検出器と比較して、4倍以上のピクセル数のパターンで約5-6倍のスピードとなります。 結果的に最もチャレンジングな材料においても優れたデータ品質を取得できる性能です。

C-Nano+の設計はレンズフリーな光学ファイバー系を採用し、優れた感度とサブピクセルレベルの歪みを保証します。高品質で鮮明なパターンが必要とされるひずみ詳細解析に最適な検出器です。 C-Nano+の感度は低電流(3 nA 以下)でも最高速分析スピードを保証し、最高のピクセル分解能でも900pps/nAの感度で電子線照射に弱い試料やナノ結晶材料の解析も可能にします。

C-Nano+はオックスフォード・インストゥルメンツのCMOS検出器の新しい設計の利点を有しています。一例としては高額な修理費用の原因となる不慮の衝突を防止する近接センサーも搭載されています。どんな時でも信頼できる結果を提供できる検出器です。

C-Nano+はCMOS技術を搭載した高性能エントリーレベル検出器です:

  • 3 nAの照射電流量で600 ppsの指数付けスピードを保証
  • 最高速度でも312 x 256のパターン解像度 – 同等の高感度CCD検出器と比較して4倍のピクセル数
  • メガピクセルの解像度パターン (1244 x 1024) – 高解像度EBSDパターンを使用するひずみ解析に最適
  • 0.05°以下の角度精度を保証する、低ひずみ光学系
  • 低ドーズ、低ビームエネルギーでも高品質を保証する、光ファイバーと最適化されたフォスファースクリーンによる高い感度 – 空間分解能を最大化
  • 最高スピードでもシームレスなEDS同時分析
  • 高い電子顕微鏡の真空度を保証する、ベローズSEMインターフェース
  • 特長的な近接センサー – 衝突が起こる前に事前に検知し、検出器を事前に安全位置に退避
  • 最適な結果をいつでも取得できる、簡単で直観的な検出器設定
  • 5つの前方散乱検出器(オプション)を内蔵し、フルカラーの補助的なチャネリングコントラスト像と原子番号コントラスト像を取得

ダウンロードセンター

C+ シリーズEBSD検出器

C-Nano+、C-Swift+ はC+シリーズのEBSD 検出器です。様々なEBSDアプリケーションのために設計された第二世代のエントリーレベルの検出器です。(英語カタログ)

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Symmetry S3

Symmetry S3 は先進のCMOS技術に基づいた第三世代の検出器です。Symmetryはユニークな設計で検出器市場をリードします。(英語カタログ)

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AZtecHKL

EBSD解析プラットフォームAZtecHKLは、高速CMOSカメラ搭載EBSD検出の性能を発揮し、結晶方位や結晶相を高速・正確に測定します。(日本語カタログ)

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EBSD Explained

EBSD Explainedは24ページのチュートリアルで、初心者の方への基礎だけでなく、その理論を信頼性の高いEBSD分析結果を得るためにどのように使うかを示しています。(英語技術資料)

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