これは従来のEBSDパターン解析にも同様の利点があります。 改良されたバンドエッジ検出により、より信頼性の高いデータが得られ、ハフ変換のユーザー指定の解像度に依存しないより良い角度精度が得られます。これは次のグラフで見ることができ、異なるバンド検出設定とハフ変換の解像度に対する角度精度(Si単結晶の解析から得られたKernel Average Misorientation-KAM値を使用して測定)を示しています。
非常に高い角度精度が重要な場合には、我々の正確性のリファイン バンド検出法を使用することが理にかなっています。これは反復的なアプローチで、TKDに最適化されたバンド検出を使用して同じ初期指数付けステップを実行しますが、その後シミュレーションでカーブした菊池バンドエッジをEBSP自体の対応する位置にフィットさせることで、ソリューションをリファインします。これは解析の最大速度が制限されます、より高い分解能のEBSP(例えば、Symmetry検出器では、Speed 1またはResolutionモード)で最適に動作します。しかし、変形の詳細を見たい、転位配列を見たい、低角粒界を効果的に解析したい場合には、この機能が最適です。正確性のリファインは完璧なツールであり、場合によっては0.01°に近い精度を得ることができます。詳細については、Tips and Tricks ビデオ "Acquiring EBSD Data with High Angular Precision" をご覧になることをお勧めします。
上のビデオで紹介されているデータセットを含む、正確性のリファインで得られたデータから生成される変形した粒の画像のいくつかはとても気に入っています。ここでは、正確性のリファインが単一の変形した Ni 粒子内の複雑な転位壁構造を明らかにしています。私の唯一の問題は、KAM マップとGrain Relative Orientation Deviation (GROD) マップのどちらを選ぶか決められないことです。