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C-Nano

CMOS搭載高感度EBSD検出器

C-Nanoは多目的用途に有効なEBSD検出器です。
Symmetry検出器にも搭載されている革新的な技術がC-Nanoにも内蔵されており、エントリーレベルにおいてもクラス最高の性能を提供します。 C-Nanoはどんな種類の試料にも適応し、その高いピクセル解像度は詳細なひずみ解析だけでなく、複雑でチャレンジングな材料のルーチンワークにも最適です。

  • パターン解像度 1244 x 1024 ピクセル (フル) - 高解像 ESBD に最適

  • クラス最高のパターン取得速さ 400 pps

  • 低エネルギーおよび低電流の下での解析でも極めて高い感度

  • ひずみのない画像


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C-Nanoは全ての材料やアプリケーションに対応するように設計されたEBSD検出器です。 カスタマイズされたCMOSセンサーを搭載し、312 x 256の優れたピクセル解像度のパターンで最高400 ppsの収集スピードを達成します。: これは同等のCCDベース検出器と比較して、4倍以上のピクセル数のパターンで約3倍のスピードとなります。 結果的に最もチャレンジングな材料においても優れたデータ品質を取得できる性能です。

C-Nano内部の光学設計は、優れた感度とサブピクセルレベルの歪みを保証しており、高品質で鮮明なパターンが必要とされるひずみ詳細解析に最適な検出器です。 C-Nanoの感度は低ビーム電流(3 nA 以下)でも最高速分析スピードを保証し、ビームに弱い試料やナノ結晶材料の解析も可能となります。

C-Nanoはオックスフォード・インストゥルメンツのCMOS検出器の、コストがかさむ不慮の衝突を事前に避けるための近接センサー等を含んだ、新しい設計の利点を有しています。 いつでも必要な結果が得られる検出器です。

C-NanoはCMOS技術を搭載した高性能エントリーレベル検出器です。:

  • 3  nAのビーム電流で400 ppsの指数付けスピードを保証
  • 最高速でも312 x 256のパターン解像度 – 同等の高感度CCD検出器と比較して4倍のピクセル数
  • メガピクセル解像度パターン (1244 x 1024) – 高解像度EBSDパターンを使用するひずみ解析に最適
  • 0.05°以下の角度精度を保証する、低ひずみ光学系
  • 低ドーズ、低ビームエネルギーでも高品質を保証する、最適化されたフォスファースクリーンによる高い感度 – 空間分解能を最大化
  • 最高スピードでもシームレスなEDS同時分析
  • 高い電子顕微鏡の真空度を保証する、ベローズSEMインターフェース
  • 特長的な近接センサー – 衝突が起こる前に事前に検知し、検出器を事前に安全位置に退避
  • 最適な結果をいつでも取得できる、簡単で直観的な検出器設定
  • 5つの前方散乱検出器を内蔵し、フルカラーの補助的なチャネリングコントラスト像と原子番号コントラスト像を取得

ダウンロードセンター

CMOS-EBSD Detector Range

CMOS技術をベースにしたEBSD検出器の市場をリードする製品群をご覧ください。(英語カタログ)

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Symmetry

CMOSセンサ技術をベースにした世界初のEBSD検出器であるSymmetryは、EBSD解析に革命をもたらします。(英語カタログ)

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AZtecHKL

EBSD解析プラットフォームAZtecHKLは、高速CMOSカメラ搭載EBSD検出の性能を発揮し、結晶方位や結晶相を高速・正確に測定します。(日本語カタログ)

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EBSD Explained

EBSD Explainedは24ページのチュートリアルで、初心者の方への基礎だけでなく、その理論を信頼性の高いEBSD分析結果を得るためにどのように使うかを示しています。(英語技術資料)

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