ナノカラムGaN結晶成長制御の検査

窒化ガリウム（GaN）の結晶成長は、その特性を向上させるために、慎重に最適化・制御する必要があります。例として、GaNナノチューブの配列の上にある有機金属気相成長法（MOVPE）によるオーバーグロースの検査を示します。高分解能、低加速電圧、小電流条件下での分析に最適なUltim Extreme EDS検出器を用れば、高密度のナノカラムを含むGaNサンプルを迅速かつ非破壊で分析することができます。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

• 半導体の成長品質検査： GaNナノチューブアレイの上のMOVPEオーバーグロース
• Ultim Extreme EDS検出器を用いた半導体材料のアプリケーション
• 半導体の非破壊高分解能分析；低加速電圧・小電流条件下での分析

アプリケーションノート一覧を見る>