半導体デバイスにおける 相互接続部の解析

STEM-EDS手法を用いた銅配線層の薄膜の分析は、大面積センサーを搭載したEDS検出器でEDSデータを収集する場合、効率的な時間でより優れた空間分解能を実現することができます。STEM 法は、成膜方法を最適化し、絶縁膜上に成膜された 極薄膜の均一性と化学的性質を評価するために使用できます。 この手法は、半導体産業におけるリバースエンジニアリング、特許侵害事件、または一般的な研究開発、Q&C にも役立ちます。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

• 薄片の高分解能 STEM-EDS 分析。Cuの拡散、バリア層の密着性、Cu配線におけるボイドの有無の分析には、エネルギー分散型 X 線分光計 （EDS） を搭載した走査電子顕微鏡 （SEM） が最適であること
• この方法を適用することで、デバイスの製造工程において問題が発生しているかどうか、およびどの工程が問題の原因となる可能性があるかを特定できる
• この方法は、半導体業界におけるリバースエンジニアリング、特許侵害訴訟、または一般的な研究開発（R&D）や品質管理（Q&C）において役立つこと