EDSによるSRAMデバイスの特性評価

5Gや人工知能など新しい産業の台頭により、SRAM（Static Random-Access Memory）などのメモリデバイスへの要求が高まっています。必要とされる性能を実現するためには、デバイスが正しく製造されていることを確認し、不具合を調査する特性評価が必要です。これらのデバイスで重要な役割を果たすインターコネクトの特性評価は極めて重要ですが、デバイスの小型化に伴い、その作業はますます困難になってきています。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

• Ultim Extremeを用いたバルクデバイスの高分解能EDSマッピングは、金属層と誘電体層の界面の調査ができます。
• Extreme EDSは、金属種の拡散の追跡やバリア層の”正確な”厚さの評価などに利用できます
• Extreme EDSは、nmスケールでの特性評価を複数の界面で行ったその平均値の提供や、また、デバイスが要件を満たしているかどうかの確認もできます。

アプリケーションノート一覧を見る>