2021年7月15日

このウェビナーについて

電子線後方散乱回折（EBSD）はナノスケールにおいて結晶方位や結晶相分布など、微細構造解析のための有益なツールです。 
電子部品においては、金属間化合物分布や微細領域でのひずみなどが製品の品質や信頼性を向上させるための重要な特性です。
本ウェビナーでは、ボンディングワイヤーやマイクロバンプ試料でのEBSD解析事例をご紹介いたします。
また低加速電圧で微細構造のEDS分析を実現するウインドウレス型EDS検出器を使用し、SEMを使用した半導体デバイスの解析事例もご紹介いたします。