電子線後方散乱回折によるカルコパイライト型薄膜の太陽電池の解析

太陽光発電は、将来の電力を安定的かつ十分に供給するための長期的な戦略の一環です。太陽光発電は、太陽光を直接電気エネルギーに変換する唯一の方法です。太陽光発電システムの効率は、入射する太陽放射のエネルギーに対する発電電力の比率として測定されます。この効率は、太陽電池の製造に使用される半導体材料の品質に大きく依存します。

薄膜太陽電池の光吸収材料として、CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2 などのカルコパイライトが注目されています。吸収体層の結晶構造は性能に大きく影響するため、その関係を理解し、EBSDを用いて材料の特性を評価できることは、太陽電池の性能向上に大きく貢献しています。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

• EBSDを用いたカルコパイライト薄膜からの粒径・テクスチャー情報の取得方法
• 結晶学的情報に基づいたSEMでの相の同定と特性評価方法
• SEMでの電子線に敏感な材料の解析例

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