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TEMでの半導体マッピング - ピークオーバーラップをリアルタイムで処理

半導体デバイスの開発やテストには、局所構造や元素組成に関する幅広い知識が必要です。<5 nmのサイズを求められる分析では、多くの場合S / TEMでイメージングとEDS分析を実行する必要があります。一旦TEMに入ると、正確な元素マップを取得するために克服しなければならない多くの困難がまだあります。 半導体の元素分析は、一般的に使用される元素間のX線の重なりが多く、またドーパントの濃度が低いため、一般的に困難です。ドーパントの濃度が低いだけでなく、そのX線は半導体プロセスで使用される他の材料と重なっていることがよくあります。 この資料では、AZtecTEMがこれらの重複を解決して正確な要素分析を実現する方法を紹介しています。

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