CIGS型太陽電池の欠陥と正確な方位の測定

薄膜の特性評価には一般的に電子後方散乱回折（EBSD）が使用されますが、通常、個々の欠陥やCu(In,Ga)Se₂（CIGS）薄膜の正方晶構造を解像するのに十分な角度分解能がありません。このアプリケーションノートでは、AZtecCrystal MapSweeper を使用した高度な EBSD パターンマッチング手法により、CIGS 型太陽電池の転位構造、逆位相ドメイン境界、正確な結晶方位を解明し、光電子特性の理解を深めることができることを示しています。

アプリケーションノートをダウンロードすることで得られる情報:

• 従来のEBSD分析では、CIGS薄膜の微細構造に関する必要なデータを得ることは困難
• AZtecCrystal MapSweeperは、Cu(In,Ga)Se2の正確な正方晶対称性を解析可能
• MapSweeperは角度精度を向上することによって、欠陥およびドメイン境界の解析を可能にする