Cu(In,Ga)Se2吸収体層を用いた薄膜太陽電池のEBSDおよびEDS解析

薄膜太陽電池の研究開発において重要なのは、機能層の微細構造と組成の特性を評価することです。この目的のために、エネルギー分散型X線分析（EDS）と電子線後方散乱回折（EBSD）は、ナノメートルスケールの空間分解能を示すと同時に、数平方ミリメートルの大面積に適用することができる技術です。EDSとEBSDの応用は、Cu(In,Ga)Se2吸収体層を持つ薄膜太陽電池の例で実証されています。EDSでは公称厚み30～50nmの層でも元素分布が得られるのに対し、EBSDでは平均粒径、局所配向、粒界の情報だけでなく、個々の結晶粒内のひずみ分布も得られます。さらに、個々の結晶粒に記録されたEBSDパターンを評価することで、個々の結晶粒内のひずみ分布を算出することができます。

*このアプリケーションノートはX-MaxとNordlysNanoについて説明しています。現在これらはそれぞれ Ultim Max と Symmetry にアップグレードされています。

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